에피택셜 성장
GaN HEMT용 에피 구조에서 채널 아래의 GaN 버퍼층에 탄소나 철을 첨가하는 주된 목적은?
- A발광시키기 위해
- B버퍼층을 고저항으로 만들어 오프 시의 누설 전류와 단채널 효과를 억제하기 위해
- C버퍼층을 저저항으로 만들어 전류가 흐르기 쉽게 하기 위해
정답과 해설 보기
정답: B. 버퍼층을 고저항으로 만들어 오프 시의 누설 전류와 단채널 효과를 억제하기 위해
GaN은 성장 중에 의도치 않게 유입되는 산소나 실리콘 등의 도너 때문에 n형이 되기 쉽고, 버퍼층으로 전류가 흐르면 게이트로 전류를 막기 어려워지며 고전압에서 누설도 늘어납니다. 탄소나 철을 첨가하여 깊은 준위에서 전자를 포획시켜 버퍼층을 고저항으로 만듭니다. 다만 포획된 전하가 빠져나갈 때까지 2DEG가 줄어 전류가 일시적으로 떨어지는 전류 컬랩스의 원인이 되기도 하므로 첨가량과 위치의 조정이 중요합니다.
- A. 발광시키기 위한 것이 아닙니다.
- B. 맞습니다. 고저항화하여 누설을 억제합니다.
- C. 목적이 반대로, 버퍼층을 고저항으로 만듭니다.