에피택셜 성장

SiC의 에피택셜 성장(CVD)의 일반적인 성장 온도에 가장 가까운 것은?

  1. A약 600℃
  2. B약 1,000℃
  3. C약 1,500~1,650℃
정답과 해설 보기

정답: C. 약 1,500~1,650℃

SiC는 결합이 강하고 표면의 원자가 움직이기 어렵기 때문에, 양질의 에피택셜층을 얻으려면 1,500~1,650 ℃ 정도로 실리콘보다 약 500 ℃ 높은 온도가 필요합니다. 원료로는 실란이나 트리클로로실란과 프로페인 등의 탄화수소를 사용하며, C와 Si의 비로 불순물 유입을 제어합니다. 이 온도를 견디기 위해 반응로 부재에는 SiC나 TaC로 피복한 흑연이 사용됩니다.

  • A. 약 600℃에서는 SiC의 양질 단결정이 성장하지 않습니다.
  • B. 약 1,000℃는 실리콘의 에피 성장에 가까운 온도입니다.
  • C. 맞습니다. 1,500~1,650℃ 정도의 고온에서 성장시킵니다.
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