GaN 자립 기판을 만들기 위해 두꺼운 GaN층을 빠르게 성장시키는 방법으로 사용되는 것은?

정답: B. HVPE(하이드라이드 기상 성장)

HVPE는 고온의 갈륨에 염화수소를 흘려 염화갈륨(GaCl)을 만들고 암모니아와 반응시켜 GaN을 성장시키는 방법으로, 시간당 수십~수백 µm로 MOCVD의 수십 배 속도가 얻어집니다. 사파이어 등의 위에 수백 µm~mm의 두꺼운 GaN을 성장시킨 뒤 기판을 떼어 내면 자립 기판이 되며, 두껍게 성장시킬수록 전위가 줄어드는 장점도 있습니다. GaN 기판은 레이저나 수직형 파워 디바이스에 사용됩니다.

• A. ALD는 원자층씩 성장시키는 방법으로 두꺼운 층의 성장에는 적합하지 않습니다.
• B. 맞습니다. 높은 성장 속도로 두꺼운 GaN을 성장시킵니다.
• C. 열산화는 실리콘의 산화막을 만드는 공정입니다.