에피택셜 성장

SiC 파워 디바이스에 주로 사용되는 결정 다형(폴리타입)은?

  1. A4H-SiC
  2. B3C-SiC
  3. C15R-SiC
정답과 해설 보기

정답: A. 4H-SiC

SiC에는 200종류 이상의 결정 다형이 있지만 파워 디바이스에는 주로 4H-SiC가 사용됩니다. 밴드갭이 약 3.26 eV로 크고, 전자 이동도가 약 1000 cm²/V·s로 높으며, 방향에 따른 차이(이방성)가 작기 때문입니다. 6H-SiC는 이동도의 이방성이 크고, 3C-SiC는 밴드갭이 약 2.4 eV로 작은 편입니다. 고품질 기판과 에피택셜 성장 기술이 확립되어 있다는 것도 이유입니다.

이 분야 연습하기 분야로 돌아가기

에피택셜 성장의 다른 문제

  1. MBE에서 성장 중인 표면에 전자선을 얕은 각도로 쏘아 그 회절상으로 성장 모습을 실시간으로 관찰하는 수법은?
  2. 「에피택시(epitaxy)」라는 말의 유래로 올바른 것은?
  3. LSI나 파워 디바이스용 실리콘 에피 웨이퍼에서 에피택셜층 두께의 일반적인 범위는?
  4. 실리콘의 에피택셜 성장에서 원료 가스와 함께 대량으로 흘려 보내는 수소(H2)의 주된 역할은?
  5. GaN 자립 기판을 만들기 위해 두꺼운 GaN층을 빠르게 성장시키는 방법으로 사용되는 것은?