GaN 등에서 마스크의 개구부로부터 결정을 성장시키고 마스크 위로 횡방향으로 성장시켜 전위를 줄이는 기술을 무엇이라고 하는가?

정답: A. 횡방향 에피택셜 성장(ELO)

ELO에서는 SiO2 등의 마스크에 줄무늬 모양의 개구부를 만들고, 거기서 성장한 결정이 마스크 위로 횡방향으로 퍼져 합쳐집니다. 기판에서 위로 뻗는 전위는 마스크에 막히므로 마스크 위 영역에서는 전위 밀도를 몇 자릿수 줄일 수 있습니다. 1990년대 후반 GaN계 청자색 레이저의 수명을 크게 늘리는 데 사용되었으며, 마스크를 쓰지 않는 파생 기술도 개발되어 있습니다.