PN接面的空乏區與逆向偏壓

將p型與n型半導體接合後，交界附近的電子與電洞會擴散並復合，只留下游離的施體與受體，形成空乏區。空乏區內離子電荷所產生的電位差就是內建電位，它阻止載子繼續擴散。

施加逆向偏壓時，接面的電位差變大，空乏區隨之變寬。寬度與（內建電位 + 逆向偏壓）的平方根成正比，且為了讓兩側離子電荷相等，空乏區會大幅延伸到濃度較低的一側。空乏區就像兩側帶有電荷的電容器，因此越寬，接面電容就越小。