バイポーラトランジスタ

能動領域で動作しているシリコンのバイポーラトランジスタのベース-エミッタ間電圧VBEの目安として正しいものはどれか。

  1. A約0.6〜0.7 V
  2. B約0.1 V
  3. C約3 V
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正解：A. 約0.6〜0.7 V

ベース-エミッタ間はシリコンのPN接合なので、順方向に電流が流れているときの電圧は約0.6〜0.7 Vです。回路の設計では、VBE ≈ 0.7 V として計算することがよくあります。

  • A. 正しい。シリコンでは約0.6〜0.7 Vです。
  • B. 約0.1 Vではシリコンの接合にはほとんど電流が流れません。
  • C. 約3 VはシリコンのPN接合の順方向電圧としては大きすぎます。
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