什麼是主動區
基極-射極間為順向偏壓、基極-集極間為逆向偏壓的狀態。流過與基極電流成正比的集極電流，用於放大。
日文名稱: 能動領域
「主動區」出現在1領域的4道練習題中（雙載子電晶體等）。
這個名詞所屬的領域: 雙載子電晶體
練習主動區的題目
NPN電晶體用於放大（在主動區工作）時，正確的偏壓條件是哪一個？
- A基極-射極間為順向偏壓，基極-集極間為逆向偏壓
- B基極-射極間為逆向偏壓，基極-集極間為順向偏壓
- C基極-射極間與基極-集極間皆為順向偏壓
對直流電流增益hFE = 100的電晶體施加10 μA的基極電流時，在主動區的集極電流大約是多少？
- A100 μA
- B1 mA
- C10 mA
解析中的「主動區」
在主動區，基極-射極接面為順向偏壓，使電子從射極注入基極；基極-集極接面為逆向偏壓，以強電場將穿過基極的電子拉往集極。
NPN電晶體用於放大（在主動區工作）時，正確的偏壓條件是哪一個？在主動區 IC = hFE × IB，所以 100 × 10 µA = 1,000 µA = 1 mA。
對直流電流增益hFE = 100的電晶體施加10 μA的基極電流時，在主動區的集極電流大約是多少？基極-射極間是矽的PN接面，所以在主動區的電壓約為0.6〜0.7 V，設計時常以 VBE ≈ 0.7 V 計算。
在主動區工作的矽雙極性電晶體，其基極-射極間電壓VBE的參考值，下列何者正確？在主動區，集極電流幾乎由基極電流決定，不太依賴VCE，所以輸出特性是每個IB對應一條近乎水平的線並排，線與線之間的間隔對應hFE。
以基極電流IB為參數繪出共射極電晶體的輸出特性（IC-VCE特性）時，主動區的特徵下列何者正確？