SiC MOSFET이나 IGBT의 구동에서 오프 시에 게이트에 음전압(예: −3~−5 V)을 인가하는 경우가 있는 주된 이유는 무엇입니까?

정답: B. 반대쪽 스위치의 동작에 따른 전압 변화로 게이트 전압이 떠올라 오작동으로 온 되는 것을 방지하기 위해

브리지 회로에서는 반대쪽 스위치가 온 되었을 때의 급격한 전압 변화(dv/dt)가 밀러 용량을 통해 오프 중인 디바이스의 게이트에 전류를 흘려 게이트 전압을 끌어올리는 경우가 있습니다. 문턱값을 넘으면 오작동으로 온 되어 상하 단락이 됩니다. SiC MOSFET은 문턱 전압이 2~3 V로 낮고 dv/dt도 크므로 특히 주의가 필요하며, 음의 게이트 전압이나 밀러 클램프 회로로 여유를 확보합니다.

• A. 스위칭 주파수를 높이기 위한 것이 아닙니다.
• B. 옳습니다. 오작동 온(셀프 턴온)을 방지하기 위해서입니다.
• C. 온 저항은 양의 게이트 전압으로 정해지며, 음 바이어스로는 낮아지지 않습니다.