전력 반도체
실리콘 MOSFET과 IGBT의 일반적인 구분 사용으로 올바른 것은 무엇입니까?
- AMOSFET은 비교적 낮은 전압에서 고속 스위칭에 적합하고, IGBT는 수백 V 이상의 고전압·대전류에 적합하다
- BIGBT는 저전압·소전류에 적합하고, MOSFET은 고전압·대전류에 적합하다
- C둘 다 같은 용도로만 쓸 수 있다
정답과 해설 보기
정답: A. MOSFET은 비교적 낮은 전압에서 고속 스위칭에 적합하고, IGBT는 수백 V 이상의 고전압·대전류에 적합하다
실리콘 MOSFET은 다수 캐리어만으로 동작하므로 빠르지만, 고내압으로 하면 온 저항이 급격히 커지므로 대략 수백 V 이하, 특히 저전압 전원에서 사용됩니다. IGBT는 전도도 변조로 고내압에서도 온 전압을 낮게 유지할 수 있어 600 V 이상의 대전류 용도(EV, 산업용 인버터, 철도)에 적합하지만 테일 전류 때문에 다소 느립니다. 현재는 이 중간~고내압 영역에서 SiC MOSFET이 양자를 대체해 가고 있습니다.
- A. 옳습니다. MOSFET은 고속·중저압, IGBT는 고압·대전류용입니다.
- B. 용도가 반대입니다.
- C. 전압이나 주파수에 따라 구분해서 사용합니다.