パワー半導体

インバータの一方のスイッチがオンになるとき、反対側のアームのダイオードの逆回復によって増える損失として正しいものはどれか。

  1. Aオンしたスイッチのターンオン損失(逆回復電流が上乗せされる)
  2. Bゲート駆動回路の損失だけ
  3. Cヒートシンクの損失
答えと解説を見る

正解:A. オンしたスイッチのターンオン損失(逆回復電流が上乗せされる)

還流していたダイオードが逆バイアスに切り替わると、蓄積されたキャリアによる逆回復電流が流れます。この電流はオンしようとしているスイッチを流れるため、ターンオン時の電流のピークと損失が増えます。逆回復の小さいSiCショットキーダイオードを使うと、この損失を大きく減らせます。

  • A. 正しい。逆回復電流がスイッチのターンオン損失に加わります。
  • B. ゲート駆動回路の損失は、逆回復による増加の主な部分ではありません。
  • C. ヒートシンクは損失を生む部品ではありません。
この分野を解く 分野ページへ

パワー半導体のほかの問題

  1. 電力変換器のソフトスイッチングのうち、ZVS(ゼロ電圧スイッチング)の説明として正しいものはどれか。
  2. パワーMOSFETのゲートを一定電流で充電したとき、ゲート電圧がしばらく平らになる「ミラープラトー」が生じる理由として正しいものはどれか。
  3. SiC MOSFETやIGBTの駆動で、オフ時にゲートに負の電圧(例えば −3〜−5 V)を加えることがある主な理由はどれか。
  4. 一般的なシリコンのパワーデバイスの最大接合温度(Tj max)の定格として多いものはどれか。
  5. パワーデバイスを選ぶとき、定格電圧に余裕をもたせて実際の使用電圧より高い耐圧の素子を使う(ディレーティングする)主な理由はどれか。