첨단 트랜지스터(FinFET과 GAA)
FinFET이나 SOI 트랜지스터에서 문제가 되기 쉬운 자기 발열의 원인으로 올바른 것은?
- A트랜지스터가 너무 차가워지기 때문
- B전류가 전혀 흐르지 않기 때문
- C채널이 가는 구조이거나 절연막에 둘러싸여 있어 발생한 열이 기판으로 빠져나가기 어렵기 때문
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정답: C. 채널이 가는 구조이거나 절연막에 둘러싸여 있어 발생한 열이 기판으로 빠져나가기 어렵기 때문
핀 같은 가는 구조나 열전도율이 낮은 산화막(SiO2는 Si의 약 1/100)으로 둘러싸인 구조에서는 트랜지스터에서 발생한 열이 기판으로 빠져나가기 어려워 채널 온도가 주변보다 수십 ℃나 높아지기도 합니다. 온도가 오르면 이동도가 내려가 전류가 줄고, 가까운 배선의 일렉트로마이그레이션과 소자 열화도 가속되므로 신뢰성 평가와 회로 설계에서 고려해야 합니다.