첨단 트랜지스터(FinFET과 GAA)

완전 공핍형 SOI(FD-SOI) 트랜지스터의 장점으로 올바른 것은?

  1. A실리콘층을 두껍게 할 수 있어 불순물을 많이 넣을 수 있다
  2. B게이트 전극이 필요 없어진다
  3. C채널의 불순물을 줄일 수 있고 문턱 전압의 편차를 억제할 수 있으며 기판 바이어스로 문턱값을 조정하기 쉽다
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정답: C. 채널의 불순물을 줄일 수 있고 문턱 전압의 편차를 억제할 수 있으며 기판 바이어스로 문턱값을 조정하기 쉽다

FD-SOI에서는 두께 5~7 nm 정도의 극히 얇은 실리콘층 전체가 공핍화되므로, 채널에 불순물을 넣지 않아도 단채널 효과를 억제할 수 있고 랜덤 도펀트 요동에 의한 편차가 작아집니다. 또한 얇은 매립 산화막(약 20 nm)을 통해 기판 쪽에서 전압을 걸면 문턱값을 동적으로 바꿀 수 있어, 저전압·저소비전력의 IoT, 차량용, RF 용도에서 사용되고 있습니다.

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