헤테로에피택셜 성장에서 임계 막 두께에 대한 설명으로 올바른 것은?

정답: C. 전위를 발생시키지 않고 변형을 유지한 채 성장시킬 수 있는 최대 막 두께

격자상수가 다른 막은 얇을 때는 기판에 맞추어 변형된 채로 성장합니다(코히런트 성장). 막 두께가 늘어나면 변형 에너지가 커지고, 임계 막 두께를 넘으면 미스핏 전위가 발생하여 변형이 풀립니다. 부정합이 클수록 임계 막 두께는 얇아져서, 예를 들어 Ge 20%의 SiGe에서는 대략 수십 nm입니다. 변형 SiGe층이나 양자 우물을 전위 없는 상태로 설계할 때 중요한 값입니다.