MRAM die schrijft door met het spin-transfer-torque van een spingepolariseerde stroom de magnetisatie van de opslaglaag van een MTJ om te keren. Wordt in massaproductie gemaakt als ingebouwd niet-vluchtig geheugen.
Japanse benaming: STT-MRAM
“STT-MRAM” komt voor in 4 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. Opkomende geheugentechnologieën.
Vakgebied: Opkomende geheugentechnologieën
Antwoord: C. De magnetisatie wordt omgekeerd door spin-transfer torque van een spingepolariseerde stroom
Bij STT-MRAM wordt een stroom door de MTJ gestuurd. Elektronen waarvan de spin in de referentielaag is uitgelijnd dragen impulsmoment over aan de opslaglaag (spin-transfer torque), waardoor de magnetisatie omklapt. De stroomrichting bepaalt of 0 of 1 wordt geschreven. Bij vroege MRAM met een extern magnetisch veld was bij kleinere elementen een grotere stroom nodig, maar bij STT schaalt de schrijfstroom mee met het oppervlak van het element. STT leent zich daardoor goed voor verkleining en is nu de hoofdstroom.
Antwoord: B. Omdat de thermische stabiliteit ook bij verkleining gemakkelijker behouden blijft en de schrijfstroom ook gemakkelijker kan worden verlaagd
Bij MTJ's met magnetisatie in het filmvlak wordt de magnetisatierichting gestabiliseerd door de vorm van het element, bijvoorbeeld een ellips, zodat de stabiliteit bij verkleining niet te behouden is. Bij perpendiculaire MTJ's wordt de magnetisatie gestabiliseerd door de perpendiculaire magnetische anisotropie die onder meer aan het grensvlak tussen CoFeB en MgO ontstaat. Daardoor is ook bij kleine, ronde elementen thermische stabiliteit te waarborgen en kan de schrijfstroom klein zijn. Deze materiaaltechnologie maakte massaproductie van STT-MRAM mogelijk (tweede helft van de jaren 2010).
Bij STT-MRAM wordt een stroom door de MTJ gestuurd.
Welke uitspraak over de schrijfmethode van STT-MRAM is juis…Deze materiaaltechnologie maakte massaproductie van STT-MRAM mogelijk (tweede helft van de jaren 2010).
Waarom zijn MTJ's met een loodrecht op het filmvlak gericht…Het omklappen van de magnetisatie in STT-MRAM is een stochastisch verschijnsel dat door thermische fluctuaties wordt beïnvloed: ook bij dezelfde stroom en pulsbreedte mislukt het schrijven zelden (schrijffoutkans).
Welke uitspraak over het ontwerpprobleem dat voortvloeit ui…Bij STT-MRAM loopt zowel bij het lezen als bij het schrijven stroom door de MTJ.
Waarom moet de grootte van de leesstroom in STT-MRAM worden…Magnetische tunnelovergang (MTJ) MRAM Numerieke apertuur (NA) ECC (foutcorrigerende code) Read disturb 3D XPoint Chalcogeniden Crosspoint-geheugen FeFET (ferro-elektrische transistor) FeRAM (ferro-elektrisch geheugen)