Nederlands
Menu

Opkomende geheugentechnologieën

Waarom moet de grootte van de leesstroom in STT-MRAM worden beperkt?

  1. AOmdat de weerstand van de MTJ bij een grote leesstroom blijvend verandert
  2. BOmdat ook de leesstroom spin-transfer torque uitoefent, zodat bij een te grote stroom de magnetisatie van de opslaglaag per ongeluk wordt omgekeerd
  3. COmdat de magnetische lagen smelten bij een grote leesstroom
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Omdat ook de leesstroom spin-transfer torque uitoefent, zodat bij een te grote stroom de magnetisatie van de opslaglaag per ongeluk wordt omgekeerd

Bij STT-MRAM loopt zowel bij het lezen als bij het schrijven stroom door de MTJ. Als de leesstroom dicht bij de omkeerstroom voor het schrijven ligt, kan de magnetisatie bij elke leesbewerking met een bepaalde kans omklappen (read disturb). De leesstroom wordt daarom ontworpen als ruim kleiner dan de schrijfstroom, maar bij een te kleine stroom wordt het signaal zwak en is het lezen langzaam en foutgevoelig. Naarmate de schrijfstroom door verkleining van het element daalt, wordt het combineren van beide lastiger.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Opkomende geheugentechnologieën

  1. Welk element maakt gebruik van het feit dat de tunnelstroom door een dunne ferro-elektrische laag verandert met de polarisatierichting van het ferro-elektricum?
  2. Welk effect, waarbij de magnetische anisotropie van een magnetische laag met een spanning wordt veranderd, wordt onderzocht als methode om de schrijfenergie van MRAM te verlagen?
  3. Welke uitspraak over het opslagprincipe van MRAM is juist?
  4. Welke uitspraak over het opslagprincipe van faseveranderingsgeheugen (PCM) is juist?
  5. Welke eigenschap gebruikt FeRAM (ferro-elektrisch geheugen) om informatie op te slaan?

Vergelijkingen bij dit onderwerp