Was ist STT-MRAM?

MRAM, das schreibt, indem es die Magnetisierung der freien Schicht des MTJ mit dem Spin-Transfer-Drehmoment eines spinpolarisierten Stroms umklappt. Es ist als eingebetteter nichtflüchtiger Speicher in Serienfertigung.

Japanische Bezeichnung: STT-MRAM

Fachgebiet: Neuartige Speicher

Verwandte Begriffe

3D XPoint Chalkogenid (chalcogenide) Crosspoint-Speicher (cross-point memory) FeFET (ferroelektrischer Feldeffekttransistor, ferroelectric FET) FeRAM (ferroelektrischer Speicher) Forming (electroforming) In-Memory-Computing Magnetischer Tunnelkontakt (MTJ) MRAM PCM (Phasenwechselspeicher)

Zurück zum Glossar