MRAM qui écrit en inversant l'aimantation de la couche de stockage de la MTJ par le couple de transfert de spin d'un courant polarisé en spin. Produite en volume comme mémoire non volatile embarquée.
Nom japonais: STT-MRAM
« STT-MRAM » apparaît dans 4 questions d'entraînement réparties sur 1 thèmes, dont Mémoires émergentes.
Domaine: Mémoires émergentes
Réponse : C. Par inversion de l'aimantation au moyen du couple de transfert de spin d'un courant polarisé en spin
Dans la STT-MRAM, un courant traverse la MTJ ; les électrons dont le spin a été aligné par la couche de référence transfèrent leur moment cinétique à la couche de stockage (couple de transfert de spin), ce qui inverse l'aimantation. Le sens du courant permet d'écrire 0 ou 1. Les premières MRAM écrites par champ externe nécessitaient un courant d'autant plus grand que l'élément était petit, alors qu'en STT le courant d'écriture diminue proportionnellement à la surface de l'élément ; la STT se prête donc à la miniaturisation et domine aujourd'hui.
Réponse : B. Parce qu'elles conservent plus facilement leur stabilité thermique malgré la miniaturisation et permettent de réduire le courant d'écriture
Les MTJ à aimantation dans le plan stabilisent l'orientation de l'aimantation par la forme de l'élément (elliptique, etc.) et perdent cette stabilité lorsqu'elles sont réduites. Les MTJ perpendiculaires stabilisent l'aimantation par l'anisotropie magnétique perpendiculaire apparaissant notamment à l'interface CoFeB/MgO, ce qui assure la stabilité thermique même pour de petits éléments circulaires et réduit le courant d'écriture. Cette technologie de matériaux a permis la production en volume de la STT-MRAM (fin des années 2010).
Dans la STT-MRAM, un courant traverse la MTJ ; les électrons dont le spin a été aligné par la couche de référence transfèrent leur moment cinétique à la couche de stockage (couple de transfert de spin), ce qui inverse l'aimantation.
Comment l'information est-elle écrite dans une STT-MRAM ?Cette technologie de matériaux a permis la production en volume de la STT-MRAM (fin des années 2010).
Pourquoi les MTJ à aimantation perpendiculaire au plan du f…L'inversion d'aimantation en STT-MRAM est un phénomène probabiliste influencé par les fluctuations thermiques : même à courant et durée d'impulsion identiques, l'écriture échoue parfois (taux d'erreur d'écriture).
Quel enjeu de conception découle du caractère probabiliste …La STT-MRAM faisant circuler un courant dans la MTJ aussi bien en lecture qu'en écriture, un courant de lecture proche du courant d'inversion en écriture risque d'inverser l'aimantation de façon probabiliste à chaque lecture (perturbation de lecture).
Pourquoi l'intensité du courant de lecture doit-elle être l…Jonction tunnel magnétique (MTJ) MRAM ECC (code correcteur d'erreurs) 3D XPoint Calcul en mémoire (in-memory computing) Chalcogénure FeFET (transistor ferroélectrique) FeRAM (mémoire ferroélectrique) Formage (forming) Mémoire crosspoint