Nederlands
Menu

Opkomende geheugentechnologieën

Welke uitspraak over het ontwerpprobleem dat voortvloeit uit het stochastische karakter van het schrijven in STT-MRAM is juist?

  1. AVoor het schrijven is licht nodig
  2. BEr moet marge in schrijfstroom en pulsbreedte worden aangehouden of foutcorrectie worden gecombineerd
  3. CHet schrijven mislukt altijd
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Er moet marge in schrijfstroom en pulsbreedte worden aangehouden of foutcorrectie worden gecombineerd

Het omklappen van de magnetisatie in STT-MRAM is een stochastisch verschijnsel dat door thermische fluctuaties wordt beïnvloed: ook bij dezelfde stroom en pulsbreedte mislukt het schrijven zelden (schrijffoutkans). Een grotere stroom verlaagt het aantal mislukkingen, maar brengt de MgO-barrière dichter bij doorslag en verkort de levensduur. De betrouwbaarheid wordt daarom gewaarborgd door marge in stroom en pulsbreedte aan te houden, na het schrijven te verifiëren en zo nodig opnieuw te schrijven, en ECC te combineren.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Opkomende geheugentechnologieën

  1. Welke uitspraak over het probleem dat voortvloeit uit de grote spreiding van de weerstandswaarden van ReRAM-cellen is juist?
  2. Welk geheugen heeft in het algemeen het kleinste aantal herschrijfcycli?
  3. Welke van de volgende geheugens is een niet-vluchtig geheugen waarvan de gegevens ook na het uitschakelen van de voeding behouden blijven?
  4. Waar staat de 'M' in MRAM voor?
  5. Welke uitspraak over het idee van het 'universele geheugen', waarop veel onderzoek en ontwikkeling van geheugens van de volgende generatie is gericht, is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp