Opkomende geheugentechnologieën

Waarom zijn MTJ's met een loodrecht op het filmvlak gerichte magnetisatie (perpendiculaire MTJ) in recente STT-MRAM de hoofdstroom geworden?

  1. AOmdat voor de fabricage geen magnetische materialen meer nodig zijn
  2. BOmdat de thermische stabiliteit ook bij verkleining gemakkelijker behouden blijft en de schrijfstroom ook gemakkelijker kan worden verlaagd
  3. COmdat voor het uitlezen licht kan worden gebruikt
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Omdat de thermische stabiliteit ook bij verkleining gemakkelijker behouden blijft en de schrijfstroom ook gemakkelijker kan worden verlaagd

Bij MTJ's met magnetisatie in het filmvlak wordt de magnetisatierichting gestabiliseerd door de vorm van het element, bijvoorbeeld een ellips, zodat de stabiliteit bij verkleining niet te behouden is. Bij perpendiculaire MTJ's wordt de magnetisatie gestabiliseerd door de perpendiculaire magnetische anisotropie die onder meer aan het grensvlak tussen CoFeB en MgO ontstaat. Daardoor is ook bij kleine, ronde elementen thermische stabiliteit te waarborgen en kan de schrijfstroom klein zijn. Deze materiaaltechnologie maakte massaproductie van STT-MRAM mogelijk (tweede helft van de jaren 2010).

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Opkomende geheugentechnologieën

  1. Welk element wordt in serie met het geheugenelement geplaatst om te voorkomen dat stroom naar niet-geselecteerde cellen lekt in crosspoint-geheugen, waarbij resistieve elementen op de kruispunten van horizontale en verticale bedrading zijn geplaatst?
  2. Welke uitspraak over de kenmerken van een FeFET, met een ferro-elektricum als gate-isolator, is juist?
  3. Hoe heet bij faseveranderingsgeheugen (PCM) het verschijnsel dat de weerstand van de amorfe toestand in de loop van de tijd geleidelijk toeneemt?
  4. Welke uitspraak over het uitlezen van gegevens uit MRAM is juist?
  5. Wat voor materiaal is GST, een veelgebruikt opslagmateriaal voor faseveranderingsgeheugen?

Vergelijkingen bij dit onderwerp