Droog etsen waarbij reactieve deeltjes uit het plasma worden gecombineerd met door een elektrisch veld versnelde ionen. Maakt verticaal anisotroop etsen mogelijk.
Japanse benaming: RIE(反応性イオンエッチング)
“RIE (reactief ionenetsen)” komt voor in 2 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. Etsen.
Vakgebied: Etsen
Antwoord: A. Er wordt geëtst in een plasma van reactieve gassen met een combinatie van chemische reactie en ionenbombardement
RIE is een vorm van droog etsen die een chemische reactie met radicalen uit een plasma van reactieve gassen (fluorhoudend, chloorhoudend e.d.) combineert met bombardement door ionen die door een elektrisch veld worden versneld. Omdat de ionen loodrecht op de wafer invallen en de reactie op de bodem bevorderen, verloopt het etsen gemakkelijk in verticale richting en is een sterk anisotrope bewerking mogelijk. Anders dan de naam doet vermoeden wordt niet alleen met ionen geëtst; het synergetische effect met radicalen is essentieel.
RIE is een vorm van droog etsen die een chemische reactie met radicalen uit een plasma van reactieve gassen (fluorhoudend, chloorhoudend e.d.) combineert met bombardement door ionen die door een elektrisch veld worden versneld.
Welke uitspraak over reactief ionenetsen (RIE) is juist?Door dit synergetische effect (ion-assisted) wordt alleen de bodem waar ionen invallen snel geëtst, en met reactief ionenetsen is snelle, anisotrope bewerking mogelijk.
Als silicium tegelijk wordt blootgesteld aan XeF2-gas en ee…Droog etsen Plasma ALE (atomic layer etching) Anisotroop etsen Antenne-effect ARDE (aspect-ratio-afhankelijk etsen) Ashing Aspectverhouding Eindpuntdetectie Gebufferd fluorwaterstofzuur (BHF)