Verschijnsel waarbij de etssnelheid daalt naarmate het patroon smaller en dieper is, omdat ionen en radicalen de bodem moeilijker bereiken. Ook microloadingeffect genoemd.
Japanse benaming: ARDE(アスペクト比依存エッチング)
“ARDE (aspect-ratio-afhankelijk etsen)” komt voor in 1 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. Etsen.
Vakgebied: Etsen
Antwoord: B. Aspectverhoudingsafhankelijk etsen (ARDE, microloading-effect)
Op de bodem van smalle, diepe gaten komen radicalen moeilijk aan omdat zij tegen de wand botsen en verloren gaan of ionen door lading worden afgebogen, en reactieproducten worden moeilijk afgevoerd, zodat de etssnelheid lager is naarmate de aspectverhouding groter is. Dit verschijnsel is ARDE (microloading-effect): op dezelfde wafer worden smalle gaten ondieper en brede gaten dieper, zodat de diepte niet voor alle afmetingen gelijk is. Het wordt gecompenseerd met etsstoplagen en aangepaste condities.
Dit verschijnsel is ARDE (microloading-effect): op dezelfde wafer worden smalle gaten ondieper en brede gaten dieper, zodat de diepte niet voor alle afmetingen gelijk is.
Hoe heet het verschijnsel dat de etssnelheid afneemt naarma…Aspectverhouding ALE (atomic layer etching) Anisotroop etsen Antenne-effect Ashing Droog etsen Eindpuntdetectie Gebufferd fluorwaterstofzuur (BHF) Hardmask ICP (inductief gekoppeld plasma)