Etsen

Welke uitspraak over reactief ionenetsen (RIE) is juist?

  1. AEr wordt geëtst in een plasma van reactieve gassen met een combinatie van chemische reactie en ionenbombardement
  2. BDe wafer wordt in een chemische oplossing gedompeld om te etsen
  3. CHet waferoppervlak wordt met een polijstkussen weggeslepen
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Er wordt geëtst in een plasma van reactieve gassen met een combinatie van chemische reactie en ionenbombardement

RIE is een vorm van droog etsen die een chemische reactie met radicalen uit een plasma van reactieve gassen (fluorhoudend, chloorhoudend e.d.) combineert met bombardement door ionen die door een elektrisch veld worden versneld. Omdat de ionen loodrecht op de wafer invallen en de reactie op de bodem bevorderen, verloopt het etsen gemakkelijk in verticale richting en is een sterk anisotrope bewerking mogelijk. Anders dan de naam doet vermoeden wordt niet alleen met ionen geëtst; het synergetische effect met radicalen is essentieel.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Etsen

  1. Welke methode wordt vaak gebruikt voor eindpuntdetectie bij droog etsen?
  2. Wat is de aspectverhouding van een door etsen gevormd gat of een gevormde sleuf?
  3. Hoe heet het verschijnsel dat de etssnelheid afneemt naarmate het patroon smaller en dieper wordt?
  4. Welk gas wordt vaak gebruikt voor het droog etsen van een polysiliciumgate?
  5. Hoe heet het proces waarbij fotoresist met bijvoorbeeld zuurstofplasma wordt verast en verwijderd?

Vergelijkingen bij dit onderwerp