Nederlands
Menu

MOSFET

Welke vorm van doorslag kan optreden wanneer tussen gate en source een spanning wordt gezet die de nominale waarde ver overschrijdt?

  1. ADiëlektrische doorslag van de gate-isolator
  2. BElektromigratie
  3. CSoft error
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Diëlektrische doorslag van de gate-isolator

De gate-isolator is bij geavanceerde producten zeer dun, enkele nm, en de doorslagveldsterkte is voor SiO2 ongeveer 10 MV/cm, zodat een film van 2 nm al bij enkele volt doorslaat. Bij doorslag ontstaat kortsluiting tussen gate en kanaal en is de transistor onbruikbaar. Omdat dit ook gemakkelijk door statische elektriciteit (enkele kV) gebeurt, hebben in- en uitgangen van IC's ESD-beveiligingsschakelingen, en ook de gatedoorslagspanning van vermogens-MOSFET's is ongeveer ±20 V. Ook degradatie door langdurige spanning binnen de nominale waarde, TDDB, is een betrouwbaarheidskwestie.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over MOSFET

  1. Wat is de juiste hoofdreden dat de mobiliteit in het kanaal van een MOSFET lager is dan de mobiliteit binnenin het siliciumkristal?
  2. Wat is de belangrijkste oorzaak dat bij kort-kanaal MOSFET's de drainstroom kleiner is dan de kwadratische wet in (VGS − Vth) en een afhankelijkheid vertoont die dicht bij de eerste macht ligt?
  3. Welke formule geeft bij benadering de vertragingstijd van een CMOS-logische poort? (C: belastingscapaciteit, V: voedingsspanning, I: aandrijfstroom)
  4. Wat is het teken van de drempelspanning (met de source als referentie) van een enhancement-type p-kanaal MOSFET?
  5. Hoe heet het effect waarbij de capaciteit tussen gate en drain vanaf de ingang van een versterker (1 + versterking) keer zo groot lijkt?

Vergelijkingen bij dit onderwerp