MOSFET die grote stromen en spanningen aankan. Schakelt snel en wordt veel gebruikt in onder meer voedingsschakelingen.
Japanse benaming: パワーMOSFET
“Vermogens-MOSFET (power MOSFET)” komt voor in 13 oefenvragen uit 4 onderwerpen, bijv. Vermogenshalfgeleiders, MOSFET, Halfgeleiderindustrie en markt.
Vakgebied: Vermogenshalfgeleiders
Antwoord: C. Bij hogere temperatuur stijgt de aan-weerstand, zodat de stroom door een heet geworden element vanzelf afneemt en de stroom wordt verdeeld
De aan-weerstand van een MOSFET neemt toe bij hogere temperatuur doordat de mobiliteit daalt (positieve temperatuurcoëfficiënt). Wanneer één van de parallelle elementen heet wordt, stijgt zijn weerstand en neemt zijn stroom af, zodat de stroom naar de andere elementen wordt verdeeld; thermische doorloop treedt dan niet gemakkelijk op en parallelschakelen is eenvoudig. Bij lage gatespanning nabij de drempel is de temperatuurcoëfficiënt echter negatief, en bij lineaire werking of langzaam schakelen kan stroomconcentratie optreden, dus voorzichtigheid is geboden.
Antwoord: C. Bij een hogere doorslagspanning wordt de aan-weerstand gemakkelijk groter
Voor een hogere doorslagspanning moet de driftlaag die de spanning opneemt dikker worden gemaakt en een lagere onzuiverheidsconcentratie hebben, waardoor de weerstand toeneemt. Theoretisch is de aan-weerstand van unipolaire Si-componenten evenredig met de doorslagspanning tot de macht ca. 2,5; bij een verdubbeling van de doorslagspanning wordt de aan-weerstand ca. 5,7 keer zo groot (siliciumlimiet). Om deze afweging te doorbreken worden de superjunctiestructuur en SiC en GaN met een hoog kritiek doorslagveld gebruikt.
In een vermogens-MOSFET ontstaat tussen het met de source verbonden p-type bodygebied en de n-type driftlaag een pn-junctie, die een parasitaire diode vormt waardoor stroom van source naar drain kan vloeien.
Hoe heet de parasitaire diode die structureel in een vermog…Discrete halfgeleiders zijn halfgeleiderelementen met één enkele functie, zoals diodes, losse transistors en vermogens-MOSFET's; ze worden onderscheiden van IC's, waarin veel elementen op één chip zijn geïntegreerd.
Welke categorie halfgeleiderproducten omvat producten die e…Omdat dit ook gemakkelijk door statische elektriciteit (enkele kV) gebeurt, hebben in- en uitgangen van IC's ESD-beveiligingsschakelingen, en ook de gatedoorslagspanning van vermogens-MOSFET's is ongeveer ±20 V.
Welke vorm van doorslag kan optreden wanneer tussen gate en…Omdat elektronen een hogere mobiliteit hebben dan gaten, kan een nMOS bij gelijke afmetingen meer stroom voeren, en ook vermogens-MOSFET's zijn meestal n-kanaal.
Welke ladingdragers voeren de stroom in het kanaal van een …Bij vermogens-MOSFET's neemt de aan-weerstand sterk toe bij hogere doorslagspanning, en om dat compromis te doorbreken worden de super-junction-structuur en SiC gebruikt.
Welke uitleg over de 'aan-weerstand' bij gebruik van een MO…Aan-weerstand (on-resistance) SiC (siliciumcarbide) Mobiliteit GaN (galliumnitride) Bodydiode IGBT ESD (elektrostatische ontlading) TDDB (time-dependent dielectric breakdown) Inversielaag Autodoping