Interconnectprocessen

Welke omschrijving van het damascene-proces, dat algemeen wordt gebruikt voor het vormen van Cu-bedrading, is juist?

  1. ADe Cu-film wordt rechtstreeks met droog etsen gepatroneerd
  2. BSleuven worden in een isolatiefilm gevormd, gevuld met Cu en het overtollige Cu wordt met CMP verwijderd
  3. CCu wordt thermisch geoxideerd om de bedradingsvorm te maken
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Sleuven worden in een isolatiefilm gevormd, gevuld met Cu en het overtollige Cu wordt met CMP verwijderd

Bij het damascene-proces worden eerst sleuven in de vorm van de bedrading in een isolatiefilm gemaakt, daarna worden een barrièrelaag en een Cu-seedlaag door sputteren aangebracht en wordt Cu door elektrolytisch plateren ingevuld. Ten slotte verwijdert CMP het overtollige Cu en de barrière aan het oppervlak, zodat de bedrading alleen in de sleuven overblijft. De naam komt van het oude Damascener inlegwerk, waarbij goud of zilver in uitgesneden sleuven in metaal wordt gezet. De methode waarbij sleuf en via in één keer worden gevuld, heet dual damascene.

Vorming van koperbedrading met het damasceenproces Isolatielaag Barrière- en seedlaag Koper ① Gleuf etsen ② Barrière/seed ③ Koper galvanisch afzetten ④ Planariseren met CMP
Vorming van koperbedrading met het damasceenproces · Bekijken in het figurenoverzicht
Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Interconnectprocessen

  1. Wat is het belangrijkste doel van het gebruik van Low-k-materiaal (lage diëlektrische constante) voor de tussenlaagisolatiefilm?
  2. Wat is het belangrijkste doel van een barrièremetaal zoals Ta of TaN bij Cu-bedrading?
  3. Welke omschrijving van een via in meerlaagse bedrading is juist?
  4. Met welke factor neemt de RC-vertraging van een bedrading ongeveer toe als de lengte wordt verdubbeld terwijl de dwarsdoorsnede en de bedradingsafstand gelijk blijven?
  5. Wat is het doel van het vormen van silicide zoals NiSi op het oppervlak van source, drain en gate van een transistor?