Nederlands
Menu

MOSFET

Welke uitspraak is juist over de schalingswet van Dennard (constant-veldschaling) wanneer afmetingen en spanning elk met 1/k worden verkleind?

  1. ADe vertraging van de schakeling wordt 1/k en de vermogensdichtheid blijft constant
  2. BDe vertraging van de schakeling wordt k keer zo groot
  3. CDe vermogensdichtheid wordt k² keer zo groot
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. De vertraging van de schakeling wordt 1/k en de vermogensdichtheid blijft constant

Volgens de schalingswet van Dennard worden bij afmetingen en spanning gedeeld door k en de onzuiverheidsconcentratie k keer zo groot, bij constant elektrisch veld, de vertraging 1/k, het vermogen per element 1/k² en ook het oppervlak 1/k², zodat de vermogensdichtheid constant blijft. De wet werd in 1974 gepresenteerd en was bijna 30 jaar de richtlijn voor miniaturisering. Hij brak echter vanaf het midden van de jaren 2000 af, toen Vth en voedingsspanning door het subthreshold-lek niet meer verlaagd konden worden, de groei van de klokfrequentie stopte en multicore opkwam.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over MOSFET

  1. Welke uitleg over de flat-band-spanning van een MOS-structuur is juist?
  2. Hoe gedraagt de capaciteit zich in de C-V-karakteristiek van een MOS-condensator met p-type substraat, gemeten bij hoge frequentie, wanneer een grote positieve spanning op de gate wordt gezet en sterke inversie ontstaat?
  3. Welk effect is juist bij een MOSFET met een zeer dunne gate-isolator wanneer de piek van de elektronenverdeling in de inversielaag iets van het grensvlak af ligt?
  4. Welke formule geeft de kleinsignaaluitgangsweerstand ro van een MOSFET in het verzadigingsgebied, uitgedrukt in de kanaallengtemodulatiecoëfficiënt λ en de drainstroom ID?
  5. Welke voorwaarde voor 'sterke inversie' wordt in het algemeen gebruikt bij de definitie van de drempelspanning van een MOSFET? (φF: Fermi-potentiaal)

Vergelijkingen bij dit onderwerp