Welche Aussage zum Punch-through bei MOSFETs ist richtig?

Antwort: B. Die Verarmungszonen von Source und Drain verbinden sich, und es fließt ein nicht durch das Gate steuerbarer Strom

Bei kurzem Kanal und niedriger Substratdotierung verbindet sich durch die Drain-Spannung die Verarmungszone auf der Drain-Seite mit der auf der Source-Seite, und unabhängig vom Gate fließt tief im Substrat ein Strom, sodass sich der Transistor nicht mehr sperren lässt. Das ist der Punch-through. Gegenmaßnahmen sind hochdotierte Schichten unter Source und Drain (Halo-/Pocket-Implantation), flachere Übergänge und, wie bei FinFET und GAA, das Umschließen des Kanals durch das Gate, wodurch nicht steuerbare Strompfade entfallen.