MOSFET

Welke uitleg over de temperatuurafhankelijkheid van de aan-weerstand is juist als reden dat het gemakkelijk is meerdere vermogens-MOSFET's parallel te schakelen?

  1. ADe aan-weerstand is onafhankelijk van de temperatuur
  2. BBij hogere temperatuur daalt de aan-weerstand, zodat de stroom zich nog meer in het hete element concentreert
  3. CBij hogere temperatuur stijgt de aan-weerstand, zodat de stroom door een heet geworden element vanzelf afneemt en de stroom wordt verdeeld
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Bij hogere temperatuur stijgt de aan-weerstand, zodat de stroom door een heet geworden element vanzelf afneemt en de stroom wordt verdeeld

De aan-weerstand van een MOSFET neemt toe bij hogere temperatuur doordat de mobiliteit daalt (positieve temperatuurcoëfficiënt). Wanneer één van de parallelle elementen heet wordt, stijgt zijn weerstand en neemt zijn stroom af, zodat de stroom naar de andere elementen wordt verdeeld; thermische doorloop treedt dan niet gemakkelijk op en parallelschakelen is eenvoudig. Bij lage gatespanning nabij de drempel is de temperatuurcoëfficiënt echter negatief, en bij lineaire werking of langzaam schakelen kan stroomconcentratie optreden, dus voorzichtigheid is geboden.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over MOSFET

  1. Welke uitspraak is juist over de schalingswet van Dennard (constant-veldschaling) wanneer afmetingen en spanning elk met 1/k worden verkleind?
  2. Welke uitleg over de flat-band-spanning van een MOS-structuur is juist?
  3. Hoe gedraagt de capaciteit zich in de C-V-karakteristiek van een MOS-condensator met p-type substraat, gemeten bij hoge frequentie, wanneer een grote positieve spanning op de gate wordt gezet en sterke inversie ontstaat?
  4. Welk effect is juist bij een MOSFET met een zeer dunne gate-isolator wanneer de piek van de elektronenverdeling in de inversielaag iets van het grensvlak af ligt?
  5. Welke formule geeft de kleinsignaaluitgangsweerstand ro van een MOSFET in het verzadigingsgebied, uitgedrukt in de kanaallengtemodulatiecoëfficiënt λ en de drainstroom ID?

Vergelijkingen bij dit onderwerp