Nederlands
Menu

MOSFET

Welke uitleg over de flat-band-spanning van een MOS-structuur is juist?

  1. ADe gatespanning waarbij het kanaal sterk geïnverteerd is
  2. BDe gatespanning waarbij de gate-isolator doorslaat
  3. CDe gatespanning waarbij de banden aan het halfgeleideroppervlak niet gebogen zijn (vlak zijn)
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. De gatespanning waarbij de banden aan het halfgeleideroppervlak niet gebogen zijn (vlak zijn)

De flat-band-spanning VFB is de gatespanning waarbij de banden aan het halfgeleideroppervlak niet gebogen zijn maar vlak, en wordt bepaald door VFB = φms − Qox/Cox (verschil in werkfunctie en lading in de isolator en op het grensvlak). De drempelspanning is VFB plus de voor inversie benodigde 2φF en de spanning door de uitputtingslaaglading. Aan de verschuiving van VFB bij C-V-metingen zijn lading in de isolator en verontreiniging (zoals Na-ionen) te beoordelen, en het is een belangrijke indicator voor procesbeheersing.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over MOSFET

  1. Hoe gedraagt de capaciteit zich in de C-V-karakteristiek van een MOS-condensator met p-type substraat, gemeten bij hoge frequentie, wanneer een grote positieve spanning op de gate wordt gezet en sterke inversie ontstaat?
  2. Welk effect is juist bij een MOSFET met een zeer dunne gate-isolator wanneer de piek van de elektronenverdeling in de inversielaag iets van het grensvlak af ligt?
  3. Welke formule geeft de kleinsignaaluitgangsweerstand ro van een MOSFET in het verzadigingsgebied, uitgedrukt in de kanaallengtemodulatiecoëfficiënt λ en de drainstroom ID?
  4. Welke voorwaarde voor 'sterke inversie' wordt in het algemeen gebruikt bij de definitie van de drempelspanning van een MOSFET? (φF: Fermi-potentiaal)
  5. Welke voorwaarde is juist om een n-kanaal MOSFET van het enhancement-type aan (geleidend) te laten staan? (VGS: gate-sourcespanning, Vth: drempelspanning)

Vergelijkingen bij dit onderwerp