Nederlands
Menu

MOSFET

Wat is het doel van de LDD-structuur (Lightly Doped Drain) van een MOSFET?

  1. ADe weerstand van de gate-elektrode verlagen
  2. BDe onzuiverheidsconcentratie aan de drainkant verlagen om het elektrische veld te verzwakken en degradatie door hot carriers te onderdrukken
  3. CDe mobiliteit van het kanaal verdubbelen
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. De onzuiverheidsconcentratie aan de drainkant verlagen om het elektrische veld te verzwakken en degradatie door hot carriers te onderdrukken

Nabij de drain is het elektrische veld sterk, en hot carriers met hoge energie worden in de gate-isolator geïnjecteerd of creëren grensvlaktoestanden, wat verschuiving van de drempelspanning en vermindering van de stroom veroorzaakt. Bij de LDD-structuur wordt met de gatezijwand (spacer) aan de kanaalzijde van de drain een lichtgedoteerd ondiep gebied gemaakt, waardoor het piekveld daalt en de degradatie wordt onderdrukt. Tegenwoordig is de extensie (ondiepe overgang met hoge concentratie), die ook korte-kanaaleffecten onderdrukt, gangbaar.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over MOSFET

  1. Hoe heet het verschijnsel waarbij in een MOSFET in het verzadigingsgebied de effectieve kanaallengte korter wordt als de drainspanning wordt verhoogd, waardoor de drainstroom iets toeneemt?
  2. Welke definitie van de transconductantie gm van een MOSFET is juist?
  3. Welke toestand van het halfgeleideroppervlak is juist wanneer bij een MOS-structuur met p-type substraat een negatieve spanning op de gate wordt gezet?
  4. Welk ontwerp is juist om de logische drempelspanning van een CMOS-inverter op ongeveer de helft van de voedingsspanning te brengen?
  5. Welk voordeel van een transmissiegate waarin nMOS en pMOS parallel zijn geschakeld, is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp