MOSFET

Welche Aussage zum Zweck der LDD-Struktur (Lightly Doped Drain) bei MOSFETs ist richtig?

  1. ADen Widerstand der Gate-Elektrode zu senken
  2. BDie Dotierung am Drain-Rand zu verringern, das elektrische Feld abzuschwächen und die Degradation durch Hot Carrier zu unterdrücken
  3. CDie Beweglichkeit im Kanal zu verdoppeln
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Antwort: B. Die Dotierung am Drain-Rand zu verringern, das elektrische Feld abzuschwächen und die Degradation durch Hot Carrier zu unterdrücken

Nahe dem Drain ist das elektrische Feld stark, und Hot Carrier mit hoher Energie werden in den Gateisolator injiziert oder erzeugen Grenzflächenzustände, was zu Änderungen der Schwellenspannung und zu geringerem Strom führt. Bei der LDD-Struktur wird mithilfe der Gate-Seitenwand (Spacer) auf der Kanalseite des Drains ein niedrig dotiertes flaches Gebiet erzeugt, das die Spitzenfeldstärke senkt und die Degradation unterdrückt. Heute dominieren Extension-Gebiete (hochdotierte flache Übergänge), die zugleich Kurzkanaleffekte unterdrücken.

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