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MOSFET

Quel est le but de la structure LDD (Lightly Doped Drain) d’un MOSFET ?

  1. ARéduire la résistance de l’électrode de grille
  2. BRéduire la concentration de dopants à l’extrémité du drain pour atténuer le champ électrique et limiter la dégradation par porteurs chauds
  3. CDoubler la mobilité du canal
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Réponse : B. Réduire la concentration de dopants à l’extrémité du drain pour atténuer le champ électrique et limiter la dégradation par porteurs chauds

Près du drain, le champ électrique est intense ; des porteurs chauds de haute énergie sont injectés dans l’isolant de grille ou créent des états d’interface, ce qui provoque une dérive de la tension de seuil et une baisse du courant. La structure LDD utilise les espaceurs de grille pour former, côté canal du drain, une région peu profonde faiblement dopée qui abaisse le champ maximal et limite la dégradation. Aujourd’hui, les extensions (jonctions peu profondes fortement dopées), qui contribuent aussi à limiter les effets de canal court, sont la solution dominante.

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