Welke toestand van het halfgeleideroppervlak is juist wanneer bij een MOS-structuur met p-type substraat een negatieve spanning op de gate wordt gezet?

Antwoord: B. Accumulatietoestand waarin gaten zich ophopen

Als bij een MOS-structuur met p-type substraat een negatieve spanning op de gate wordt gezet, worden de meerderheidsladingdragers, de gaten, naar het oppervlak getrokken en ontstaat de accumulatietoestand. Bij een positieve spanning worden eerst de gaten verdreven en blijven alleen vaste acceptorionen over (depletietoestand), en bij een grotere spanning verzamelen minderheidselektronen zich (inversietoestand). De drie toestanden accumulatie, depletie en inversie zijn bij C-V-metingen als verandering van de capaciteit te zien en vormen de basis van de beoordeling van MOS-structuren.