Messtechnik und Analytik

Welches Verfahren wird häufig zur Analyse geringer Metallverunreinigungen auf der Waferoberfläche verwendet?

  1. ATotalreflexions-Röntgenfluoreszenzanalyse (TXRF)
  2. BVierspitzenmessung
  3. CEllipsometrie
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Antwort: A. Totalreflexions-Röntgenfluoreszenzanalyse (TXRF)

Bei der TXRF werden Röntgenstrahlen unter einem sehr flachen Winkel von etwa 0,1° auf die Waferoberfläche eingestrahlt und total reflektiert, und die von Atomen nahe der Oberfläche emittierte Fluoreszenzstrahlung wird gemessen. Da die Röntgenstrahlen nicht eindringen und das Signal des Substrats klein ist, lassen sich geringe Metallmengen von etwa 10⁹ bis 10¹⁰ Atomen/cm² zerstörungsfrei nachweisen. Wird der Oberflächenoxidfilm mit Flusssäuredampf aufgelöst und an einem Punkt gesammelt, bevor gemessen wird, steigt die Empfindlichkeit weiter. Vierspitzenmessung und Ellipsometrie erfassen keine Verunreinigungen.

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