Lithografie

Was ist die Hauptursache des bei der EUV-Belichtung problematischen „Flare“?

  1. ALicht wird durch geringe Unebenheiten der Spiegeloberfläche gestreut und erreicht auch eigentlich dunkle Bereiche
  2. BDer Resist verbrennt
  3. CDer Wafer rotiert
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Antwort: A. Licht wird durch geringe Unebenheiten der Spiegeloberfläche gestreut und erreicht auch eigentlich dunkle Bereiche

Da EUV eine sehr kurze Wellenlänge hat, wird Licht schon an geringsten Unebenheiten der Spiegeloberfläche auf Atomniveau (etwa 0,1 nm) gestreut. Das gestreute Licht erreicht in weitem Umfang auch Bereiche, die eigentlich dunkel sein sollten (Flare), senkt den Bildkontrast und verursacht Maßstreuung. Da der Flare von der Fläche der hellen Umgebung abhängt, wird eine von der Strukturdichte abhängige Maßkorrektur per OPC vorgenommen und der Flare durch ultrapräzises Polieren der Spiegel unterdrückt.

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