Welcher Vorteil der für die EUV-Belichtung entwickelten Resists mit Metalloxiden ist richtig?

Antwort: A. Sie absorbieren EUV-Licht stark und haben schon bei dünnen Filmen eine hohe Ätzbeständigkeit

Resists mit Metallen wie Zinn oder Hafnium absorbieren EUV-Licht um ein Mehrfaches stärker als organische Resists, können daher mit geringer Dosis zur Reaktion gebracht werden, und man erwartet, dass sich auch der Einfluss der Photonenzahlschwankungen (Stochastik) verringert. Da die Moleküle klein sind, ist die Auflösung gut, und wegen der hohen Ätzbeständigkeit sind auch dünne Filme von etwa 20 nm als Maske nutzbar, wodurch sich das Umfallen feiner Strukturen leichter verhindern lässt. Es werden auch Trockenresists entwickelt, die im Vakuum abgeschieden werden.