Lithografie
Welche Aussage zum Double Patterning (Multi-Patterning) ist richtig?
- AZwei Wafer werden gleichzeitig belichtet
- BStrukturen mit so feinem Pitch, dass sie mit einer Belichtung nicht aufgelöst werden können, werden durch mehrere Belichtungen oder Bearbeitungsschritte gebildet
- CAllein durch zweilagiges Auftragen von Resist verdoppelt sich die Auflösung
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Antwort: B. Strukturen mit so feinem Pitch, dass sie mit einer Belichtung nicht aufgelöst werden können, werden durch mehrere Belichtungen oder Bearbeitungsschritte gebildet
Double Patterning ist eine Technik, Strukturen mit Pitches, die mit einer Belichtung nicht aufgelöst werden können, entweder in zwei ausgedünnte Muster aufzuteilen und getrennt zu belichten und zu bearbeiten (LELE) oder die Linien mit an den Seitenwänden abgeschiedenen Spacern zu verdoppeln (SADP, SAQP). Sie trieb die Miniaturisierung über die Grenze der ArF-Immersion (Pitch etwa 80 nm) bis zu Pitches im Bereich von 20 nm, doch Prozessschritte, Maskenzahl und Kosten steigen stark, weshalb die Einführung der EUV-Belichtung vorangetrieben wurde.