離子佈植
關於離子佈植的原理，下列何者正確？
- A將雜質離子化後以電場加速，打入晶圓
- B將晶圓浸入含雜質的液體中
- C在含雜質的氣體中加熱晶圓，使其自表面滲入
查看答案與解析
正確答案：A. 將雜質離子化後以電場加速，打入晶圓
離子佈植是將硼或磷等雜質離子化，經質量分析選出後，以電場加速並高速打入晶圓。可精密控制：以加速能量控制深度、以打入的離子數（劑量）控制濃度、以遮罩控制位置。1970年代導入量產而取代了熱擴散，現今的LSI製造一顆晶片需要進行數十次的佈植製程。
- A. 正確。將離子加速後打入。
- B. 浸入液體中的方法不是離子佈植。
- C. 在氣體中加熱使其滲入的是熱擴散。