Ionenimplantation
Welche Aussage zum Prinzip der Ionenimplantation ist korrekt?
- ADotierstoffe werden ionisiert, durch ein elektrisches Feld beschleunigt und in den Wafer geschossen
- BDer Wafer wird in eine dotierstoffhaltige Flüssigkeit getaucht
- CDer Wafer wird in einem dotierstoffhaltigen Gas erhitzt, sodass die Dotierstoffe von der Oberfläche einsickern
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Antwort: A. Dotierstoffe werden ionisiert, durch ein elektrisches Feld beschleunigt und in den Wafer geschossen
Bei der Ionenimplantation werden Dotierstoffe wie Bor und Phosphor ionisiert, durch Massenanalyse ausgewählt, mit einem elektrischen Feld beschleunigt und mit hoher Geschwindigkeit in den Wafer geschossen. Die Tiefe wird über die Beschleunigungsenergie, die Konzentration über die Zahl der implantierten Ionen (Dosis) und der Ort über die Maske genau gesteuert. Sie wurde in den 1970er-Jahren in die Massenfertigung eingeführt, löste die thermische Diffusion ab, und bei heutigen LSIs werden für einen Chip mehrere zehn Implantationsschritte verwendet.