이온 주입
이온 주입의 원리로 올바른 것은 무엇인가?
- A불순물을 이온으로 만들어 전계로 가속하여 웨이퍼에 주입한다
- B불순물을 포함한 액체에 웨이퍼를 담근다
- C불순물을 포함한 가스 속에서 웨이퍼를 가열하여 표면에서 스며들게 한다
정답과 해설 보기
정답: A. 불순물을 이온으로 만들어 전계로 가속하여 웨이퍼에 주입한다
이온 주입에서는 붕소나 인 등의 불순물을 이온화하고, 질량 분석으로 선별한 뒤 전계로 가속하여 고속으로 웨이퍼에 주입합니다. 가속 에너지로 깊이를, 주입하는 이온의 수(도즈량)로 농도를, 마스크로 위치를 정밀하게 제어할 수 있습니다. 1970년대에 양산에 도입되어 열확산을 대체했으며, 현재의 LSI에서는 칩 하나를 만드는 데 수십 번의 주입 공정이 사용됩니다.
- A. 올바릅니다. 이온을 가속하여 주입합니다.
- B. 액체에 담그는 방법은 이온 주입이 아닙니다.
- C. 가스 속에서 가열하여 스며들게 하는 것은 열확산입니다.