Bij de productie voor backside power delivery wordt een wafer met transistors en bedrading aan de voorzijde op een dragerwafer gebond, wordt het oorspronkelijke substraat vanaf de achterkant gedund en wordt daarna de voedingsbedrading aan de achterzijde gevormd. Wat wordt in dit proces bijzonder moeilijk?

Antwoord: B. Bonden en dunnen vervormen de wafer, waardoor het moeilijk wordt de patronen aan de achterzijde nauwkeurig op de transistors aan de voorzijde uit te lijnen

Bij backside power delivery wordt de wafer omgedraaid en gebond, tot een dikte tussen enkele honderden nanometers en enkele micrometers gedund, en wordt de voeding vanaf de achterkant vlak bij de transistors aangesloten. Het bonden vervormt de wafer niet-uniform, zodat het moeilijk wordt de belichting aan de achterzijde nauwkeurig uit te lijnen op de transistors aan de voorzijde en op elk contact. Eenvoudige fouten zoals een algehele uitzetting of rotatie kan de belichtingsmachine corrigeren, maar complexe vervormingen die van plaats tot plaats verschillen zijn moeilijk te corrigeren, en bondmethoden en metrologie worden verbeterd. Het verplaatsen van de voedingsbedrading naar de achterzijde vermindert juist de congestie aan de voorzijde en de IR-drop.