Nederlands
Menu

Interconnectprocessen

Wat is het belangrijkste doel van het gebruik van Low-k-materiaal (lage diëlektrische constante) voor de tussenlaagisolatiefilm?

  1. ADe weerstand van de bedrading verlagen
  2. BDe mechanische sterkte van de tussenlaagisolatiefilm verhogen
  3. CDe parasitaire capaciteit tussen bedrading verlagen en de RC-vertraging verminderen
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. De parasitaire capaciteit tussen bedrading verlagen en de RC-vertraging verminderen

Naarmate de bedradingsafstand kleiner wordt, neemt de capaciteit tussen bedradingen toe, wat signaalvertraging (RC-vertraging), vermogen voor laden en ontladen en overspraak vergroot. Een isolatiefilm met een lagere diëlektrische constante dan SiO2 (ongeveer 3,9) verlaagt de capaciteit; er worden SiOC met toegevoegde koolstof (ongeveer 2,7-3,0) en poreuze films met holtes (ongeveer 2,2-2,5) gebruikt. Hoe lager de diëlektrische constante, hoe zachter en zwakker de film echter wordt, zodat scheuren en delaminatie tijdens CMP en packaging-processen een probleem vormen.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Interconnectprocessen

  1. Wat is het belangrijkste doel van een barrièremetaal zoals Ta of TaN bij Cu-bedrading?
  2. Welke omschrijving van een via in meerlaagse bedrading is juist?
  3. Met welke factor neemt de RC-vertraging van een bedrading ongeveer toe als de lengte wordt verdubbeld terwijl de dwarsdoorsnede en de bedradingsafstand gelijk blijven?
  4. Wat is het doel van het vormen van silicide zoals NiSi op het oppervlak van source, drain en gate van een transistor?
  5. Welk metaal wordt veel gebruikt voor het vullen van contactgaten die een transistor met de onderste bedradingslaag verbinden?