Wat is het belangrijkste doel van een barrièremetaal zoals Ta of TaN bij Cu-bedrading?

Antwoord: B. Voorkomen dat Cu in de isolatiefilm of in silicium diffundeert

Cu diffundeert gemakkelijk in isolatiefilms en silicium; in silicium vormt het diepe niveaus die lekstroom en verslechtering van de transistoreigenschappen veroorzaken, en in isolatiefilms verslechtert het de isolatie tussen bedradingen. Daarom worden de zijkanten en de bodem van Cu-bedrading omgeven door een barrièremetaal zoals Ta/TaN (enkele nm) en wordt de bovenkant bedekt met een diëlektrische capfilm om diffusie te voorkomen. Het barrièremetaal verbetert ook de hechting aan de isolatiefilm en richt de Cu-kristallen uit.