Nederlands
Menu

Interconnectprocessen

Welke omschrijving van een via in meerlaagse bedrading is juist?

  1. AEen geleider die de bovenste en onderste bedradingslagen elektrisch verbindt
  2. BEen film die naburige bedradingen in dezelfde laag isoleert
  3. CEen metaaldraad die de chip met de package verbindt
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Een geleider die de bovenste en onderste bedradingslagen elektrisch verbindt

Een via is een verticale geleider die de bedrading van een bovenste en een onderste laag verbindt door een gat in de tussenlaagisolatiefilm met metaal te vullen. Bij geavanceerde producten is de diameter zeer klein, ongeveer 20 nm, en zijn er per chip meer dan enkele miljarden. De verbinding tussen een transistor en de onderste bedradingslaag heet een contact. Bij het dual damascene-proces worden de bedradingssleuf en het via in één keer met Cu gevuld. De weerstand en open defecten van vias hebben grote invloed op prestaties en yield.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Interconnectprocessen

  1. Met welke factor neemt de RC-vertraging van een bedrading ongeveer toe als de lengte wordt verdubbeld terwijl de dwarsdoorsnede en de bedradingsafstand gelijk blijven?
  2. Wat is het doel van het vormen van silicide zoals NiSi op het oppervlak van source, drain en gate van een transistor?
  3. Welk metaal wordt veel gebruikt voor het vullen van contactgaten die een transistor met de onderste bedradingslaag verbinden?
  4. Wat is de belangrijkste reden waarom de effectieve soortelijke weerstand van Cu-bedrading toeneemt als de breedte zeer smal wordt?
  5. Wat is de belangrijkste reden om bedrading in hogere lagen van meerlaagse bedrading breder en dikker te maken?

Vergelijkingen bij dit onderwerp