Nederlands
Menu

Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

Welk element wordt onderzocht met het oog op het doorbreken van de grens van 60 mV/dec van de subthreshold-coëfficiënt?

  1. ADiode
  2. BThyristor
  3. CTunnel-FET en FET met negatieve capaciteit
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Tunnel-FET en FET met negatieve capaciteit

Een gewone MOSFET werkt doordat ladingdragers de barrière thermisch overwinnen, dus bij kamertemperatuur kan hij niet steiler schakelen dan 60 mV/dec, wat een grens vormt voor verlaging van de voedingsspanning. Een tunnel-FET laat stroom vloeien via band-naar-bandtunneling tussen source en kanaal en wordt niet door de thermische verdeling beperkt, en een FET met negatieve capaciteit versterkt de gatespanning intern met de negatieve capaciteit van een ferro-elektricum; beide beogen onder deze grens te komen. Uitdagingen zijn onder meer de kleine aan-stroom.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

  1. Wat is de belangrijkste rol van de isolator (inner spacer) tussen gate en source/drain bij de ruimte tussen de sheets van nanosheet-GAA?
  2. Wat is, wanneer de hoogte van een standaardcel wordt uitgedrukt in het aantal bedradingstracks, het juiste effect van het verminderen van het aantal tracks?
  3. Wat is het doel van het gebruik van meerdere soorten transistoren met verschillende drempelspanning in dezelfde chip?
  4. Welke techniek bedekt de gate met een isolatiefilm, zodat geen kortsluiting met de gate ontstaat als de positie van het contact enigszins verschuift?
  5. Waarom worden SiGe of germanium overwogen en toegepast als kanaalmateriaal voor pMOS in plaats van silicium?

Vergelijkingen bij dit onderwerp