Nederlands
Menu

Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

Wat is, wanneer de hoogte van een standaardcel wordt uitgedrukt in het aantal bedradingstracks, het juiste effect van het verminderen van het aantal tracks?

  1. ADe celoppervlakte wordt kleiner en de integratiedichtheid neemt toe
  2. BDe celoppervlakte wordt groter
  3. CHet aantal bedradingen neemt toe
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. De celoppervlakte wordt kleiner en de integratiedichtheid neemt toe

De hoogte van een standaardcel wordt uitgedrukt in het aantal bedradingen met minimale pitch dat erover kan lopen (aantal tracks); bij een minimale bedradingspitch van 28 nm en 6 tracks is dat bijvoorbeeld circa 170 nm. Als het aantal tracks afneemt, wordt de cel lager en kan dezelfde schakeling met een kleinere oppervlakte worden gemaakt. Bij geavanceerde generaties is het teruggebracht van 7,5T via 6T naar ongeveer 5T, maar omdat de ruimte voor bedrading in de cel en het aantal vinnen (sheets) afneemt, moet worden gelet op bedradingscongestie en lagere aandrijfkracht.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

  1. Wat is het doel van het gebruik van meerdere soorten transistoren met verschillende drempelspanning in dezelfde chip?
  2. Welke techniek bedekt de gate met een isolatiefilm, zodat geen kortsluiting met de gate ontstaat als de positie van het contact enigszins verschuift?
  3. Waarom worden SiGe of germanium overwogen en toegepast als kanaalmateriaal voor pMOS in plaats van silicium?
  4. Welke methode van driedimensionale integratie, waarbij lagen transistoren achtereenvolgens op de wafer worden opgebouwd en geen chips op elkaar worden gebonden, is dit?
  5. Welke combinatie van bedrijf en generatie die de FinFET (door Intel Tri-Gate genoemd) als eerste in een logisch product voor massaproductie toepaste, is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp