Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)
Welke uitspraak over de basismethode om de contactweerstand tussen metaal en halfgeleider te verlagen is juist?
- ADe onzuiverheidsconcentratie van de aangrenzende halfgeleider verhogen, zodat de barrière dunner wordt en tunnelstroom gemakkelijker vloeit
- BDe onzuiverheidsconcentratie van de aangrenzende halfgeleider extreem laag maken
- CEen dikke oxidefilm tussen metaal en halfgeleider plaatsen
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: A. De onzuiverheidsconcentratie van de aangrenzende halfgeleider verhogen, zodat de barrière dunner wordt en tunnelstroom gemakkelijker vloeit
Aan het grensvlak tussen metaal en halfgeleider ontstaat een Schottky-barrière. Als de onzuiverheidsconcentratie aan de halfgeleiderzijde wordt verhoogd tot 10²⁰ cm⁻³ of meer, wordt de barrièrebreedte dunner dan enkele nm en tunnelen ladingdragers er gemakkelijker doorheen, zodat de contactweerstand daalt. Daarnaast wordt het grensvlak gemaakt met silicide zoals titanium, worden materialen met een lage barrière gekozen en wordt het contactoppervlak vergroot; bij geavanceerde generaties zijn lage contactweerstanden van de klasse 10⁻⁹ Ω·cm² vereist.
Verder: nog 9 vragen over Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)