Nederlands
Menu

Etsen

Welke methode maakt het door belichting gevormde resistpatroon met plasma stapsgewijs dunner om lijnen te maken die smaller zijn dan de belichtingslimiet?

  1. AResist trimming (slimming)
  2. BReflow
  3. CEdge bead removal
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Resist trimming (slimming)

Resist trimming is een methode waarbij het resistpatroon met bijvoorbeeld zuurstofhoudend plasma isotroop stapsgewijs wordt aangetast en de lijnbreedte smaller wordt. Een lijn van 50 nm uit de belichting wordt zo bijvoorbeeld met trimmen 30 nm, en de methode wordt gebruikt om gates te vormen die smaller zijn dan wat lithografie kan oplossen. De pitch (herhalingsafstand) wordt echter niet kleiner, en de spreiding in de weggenomen hoeveelheid en de LER worden rechtstreeks spreiding in afmetingen, dus de regeling is belangrijk.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Etsen

  1. Welke maatregel wordt bij het etsen van een gate-elektrode gewoonlijk genomen om de dunne gate-isolator eronder te behouden?
  2. Hoe groot is bij benadering het zijwaarts weggeëtste bedrag (undercut) vanaf de rand van het masker wanneer een film van 1 µm dik met volledig isotroop nat etsen precies tot de ondergrond wordt weggeëtst?
  3. Welke maatstaf geeft aan hoeveel de zijwand van een door etsen gevormd gat of gevormde sleuf van verticaal afwijkt?
  4. Welk effect van het toevoegen van een beetje zuurstof aan etsen met fluorhoudende gassen is in het algemeen juist?
  5. Welke uitspraak over de verhouding tussen het aantal ionen en radicalen in een gangbaar plasma voor etsen is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp