Etsen

Hoe heet de maskermethode waarbij voor het diep bewerken van fijne patronen van onder naar boven een organische film (koolstoffilm), een siliciumhoudende tussenfilm en resist als drie lagen worden gestapeld?

  1. ADriedelaagsresistproces (tri-layer)
  2. BDamasceenproces
  3. CLOCOS-proces
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Driedelaagsresistproces (tri-layer)

Bij een driedelaagsresist wordt het patroon van de dunne resist eerst met fluorhoudend plasma overgebracht op een siliciumhoudende tussenfilm (zoals SiARC), en daarmee als masker wordt een dikke organische film (spin-on carbon) met zuurstofhoudend plasma geëtst. Siliciumhoudende films worden door zuurstofplasma moeilijk aangetast en organische films door fluorhoudend plasma moeilijk, zodat door hoge selectiviteiten achter elkaar te schakelen ook met een dunne resist een dik, sterk masker kan worden gemaakt. De tussenfilm fungeert tevens als antireflectiefilm.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Etsen

  1. Welk gas kan silicium zonder plasma isotroop etsen, bijvoorbeeld bij het verwijderen van offerlagen in MEMS?
  2. Welke methode maakt het door belichting gevormde resistpatroon met plasma stapsgewijs dunner om lijnen te maken die smaller zijn dan de belichtingslimiet?
  3. Welke maatregel wordt bij het etsen van een gate-elektrode gewoonlijk genomen om de dunne gate-isolator eronder te behouden?
  4. Hoe groot is bij benadering het zijwaarts weggeëtste bedrag (undercut) vanaf de rand van het masker wanneer een film van 1 µm dik met volledig isotroop nat etsen precies tot de ondergrond wordt weggeëtst?
  5. Welke maatstaf geeft aan hoeveel de zijwand van een door etsen gevormd gat of gevormde sleuf van verticaal afwijkt?

Vergelijkingen bij dit onderwerp